九月七日，台積電與艾司摩爾（ASML）聯袂宣布，台積電最快自二○三○年起，將導入High NA曝光機，並將該設備用於微影的光罩尺寸，從現行的六吋升級到十二吋，台積電將在二○三一年前建好試產線，二○三三年前落實在先進製程的量產。

曝光機的作用，類似影印機，EUV就是透過極紫外光這種波長極短的光，將光罩（類似底片）上奈米級的電路圖，曝印到晶圓片上。

魏哲家曾鬆口已購
化解產能致命傷才用

全球第一個採購該設備的業者，是英特爾。二四年，英特爾向艾司摩爾採購High NA曝光機，後續用於該公司最新、對焦台積電二奈米的18A製程。

但其實，台積電並非沒有採購High NA曝光機。今年六月股東會，董事長魏哲家鬆口承認，有採購High NA曝光機，只是還沒有投入產線。而近期業界從全球僅賣出十台的數字中推估，其中兩台應在台積電手上。

買了卻不投入生產，台積電給的原因一直很直白：成本貴到划不來。

因此，不管是目前正緊鑼密鼓生產的二奈米製成，還是預計今年下半年量產的A16製程，都是用傳統的Low NA曝光機。

Low NA跟High NA的差別，在於NA（數值孔徑）的大小。

NA就像鏡頭的開口，開口越大，能收進來的光線角度越廣，成像自然越銳利；High NA的曝光機，能將原本的NA數值從○·三三拉高到○·五五。

面對High NA的種種好處，台積電卻遲遲不點頭，是因為這背後，藏著一項致命傷。

一位與台積電來往密切的設備商指出，為了拉高解析度，High NA的光學設計讓單次曝光的面積，相較Low NA直接縮掉一半，雖然解析度變高，但因為曝光面積縮小，「等於換了新機台，仍然要曝光兩次。」

後來，艾司摩爾與台積電將解方，放在曝光機使用的六吋光罩上。簡單說，若光罩尺寸升級一倍、變成十二吋，剛好補回原本縮減的曝光面積，原本需要拼兩次的圖形，變成一次就能曝光完成。

當曝光程序縮短，每台High NA曝光機的產出增加，成本也才划算。就像一間麵攤，買了一口萬元鐵鍋，一天只能炒一百碗麵，若想做一千碗的生意，就得買十口一樣的鍋；但如果讓這口鍋能炒更多麵，可能五口就夠。

曝光機的光罩尺寸改變，牽動的，是一連串的設備更新。從光罩基板、沉積、蝕刻，到缺陷檢測，整條光罩供應鏈，相關設備、材料都必須重新開發驗證，新一輪的投資，將就此開啟。

只是，第一波恐怕輪不到台廠。「新機台通常由原廠主導開發計畫，台廠能切入的空間有限，」一名半導體材料商高管說。

有分析師也認為，新設備開發主導權通常在艾司摩爾原廠手上，就算是其餘EUV光罩檢測市場，大多也是日商Lasertec、美商科磊的地盤，台廠發揮空間有限。

不過，這扇門不會永遠只開給原廠。後續待設備成熟、進入量產後，晶圓代工廠勢必會在機台耗材、堆疊製程等環節做出客製化調整，「各家都可能帶著自己原有的供應鏈下去做。」一名券商分析師指出。

整條供應鏈的更新，不可能單靠艾司摩爾完成，台積電在EUV曝光機原本的本土供應商，有多少能持續跟上，會是後續觀察重點。

眼下呼聲最高的台廠是家登，其High NA光罩盒已經通過艾司摩爾認證。只是，分析師提醒，High NA曝光機最快二○三○年才會放上台積電產線，六吋走到十二吋光罩的新商機確實存在，只是這局，最快還要四、五年後才揭曉。